在今年度的IEEE國際電子元件會議 (IEDM 2023)中，Intel展示其結合晶片背部供電與直接背部接觸的3D堆疊CMOS (互補金屬氧化物半導體)電晶體技術進展，強調在晶片背部供電技術研究突破，率先提出可在相同300mm (12吋)直徑規格晶圓整合矽電晶體與氮化鎵 (GaN)電晶體的大規模3D單晶設計，而非像往常必須透過封裝技術實現。 Inte…Intel展示晶片背部供電與直接背部接觸的3D堆疊CMOS電晶體技術進展，持續推動摩爾定律成長進入製程技術的埃米世代
在今年度的IEEE國際電子元件會議 (IEDM 2023)中，Intel展示其結合晶片背部供電與直接背部接觸的3D堆疊CMOS (互補金屬氧化物半導體)電晶體技術進展，強調在晶片背部供電技術研究突破，率先提出可在相同300mm (12吋)直徑規格晶圓整合矽電晶體與氮化鎵 (GaN)電晶體的大規模3D單晶設計，而非像往常必須透過封裝技術實現。 Inte…