Intel展示晶片背部供電與直接背部接觸的3D堆疊CMOS電晶體技術進展，持續推動摩爾定律成長進入製程技術的埃米世代
在今年度的IEEE國際電子元件會議 (IEDM 2023)中，Intel展示其結合晶片背部供電與直接背部接觸的3D堆疊CMOS (互補金屬氧化物半導體)電晶體技術進展，強調在晶片背部供電技術研究突破，率先提出可在相同300mm (12吋)直徑規格晶圓整合矽電晶體與氮化鎵 (GaN)電晶體的大規模3D單晶設計，而非像往常必須透過封裝技術實現。 Inte...
電晶體
Intel再次讓摩爾定律演進，將使晶片電晶體數量增加至1兆規模相較現今千億數量規模成長10倍
近期在Hot Chips 34高效能運算年度技術大會中，Intel除了展示「Ponte Vecchio」伺服器GPU建構平台算力表現，並且預覽代號「Meteor Lake」、「Arrow Lake」，以及「Lunar Lake」的Core系列處理器設計，更由執行長Pat Gelsinger說明晶片內的電晶體數量將在2030年增加至1兆規模，相較現今千億數量規模成長10倍。 ...
Intel以新製程、供電與材質設計提高處理器電晶體密度，持續推動摩爾定律發展
市場動態 處理器 Intel日前公布其未來製程技術發展布局，除了現有奈米 (nm)等級製程設計，接下來也會開始布局埃米 (Å)等級製程技術，預計最快會在2024年進入20A製程技術，另外也計畫在封裝技術持續精進，讓處理器設計尺寸能持續微縮。而在EDM 2021國際電子元件會議中，Intel更進一步說明其封裝技術將以超過10倍密度提升為目標，其中將使電晶體...