Intel宣布佈署高數值孔徑極紫外光微影設備，將於Intel 18A後取得製程技術領先地位以高數值孔徑極紫外光微影設備，開創晶片製造新格局

Intel宣布於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的研發基地中，已由研發人員完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備 (High NA EUV)組裝，預計在多項校準工作完成後，計畫於2027年正式啟用，並且將用於Intel 18A之後的Intel 14A製程產品。 此台高數值孔徑極紫外光微影設備是由ASML供應，並且將在下一世代處理器產品扮演關鍵角色，而Int…