Galaxy S9將可能率先採用速度更快的UFS 3.0儲存元件

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首圖 固態技術協會 (JEDEC)稍早公佈UFS 3.0版本標準JESD220D與JESD223D,另外也公佈UFS記憶卡1.1版本標準JESD220-2A,其中UFS 3.0將採用HS-G4設計規範,可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps,亦即為UFS 2.1採用HS-G3設計規範的傳輸頻寬2倍左右。而三星稍早已經透露將在今年第一季內推出首款…

參考資料
2016年8月20日 … 該報導指出,不管是今年上半年推出的旗艦機種Galaxy S7、還是最近推出的Galaxy
Note 7 都落後一大截。 儘管Galaxy S7 這款採用UFS 2.0 的旗艦手機,在儲存元件讀
寫速度上都已經有大幅度的提升。但《BGR》報導指出,Apple 藉由自家的PCI-E
NVMe 控制器技術,確保了其讀寫效能可以大幅領先Samsung 所採用 …
2017年4月23日 … 虽然很多人并不知道UFS 2.1/2.0和eMMC 5.1全称是什么,但是在各大手机厂商的
强力轰炸下,大家多多少少知道这是一种闪存标准,并且在速度上UFS 2.1>UFS 2.0
>eMMC … 一部手机的总体体验(也可说是速度)不能依靠一两个核心原件的差异来
判断高低,而应该是所有元件的综合实力在真实应用环境中的比较。
2017年5月1日 … 说到手机性能,大家第一时间想到的都是CPU和GPU性能,但闪存也是直接影响应用
开启和游戏载入速度的元件。当中前者主要受随机读/写性能影响,后者主要受连续读
/写性能影响。在2017年,对随机和顺序读写性能影响最大的因素之一,刚好是本篇
科普的主角——文件系统和闪存类型。而这次闪存门,主要针对的 …
2017年4月17日 … 除了前不久的屏幕涂层问题,华为P10手机现在还遭遇了闪存门问题,有消费者发现
自己买的P10手机UFS闪存速度太差,以致于很多人怀疑华为缩水变成 … 今年MWC
上发布的P10、P10 Plus算是遇到了好时候——三星去年的Galaxy Note 7手机因为
爆炸退市,Galaxy S8/S8 Plus上市时间一拖再拖,国行S8连发布都 …
因此,在读写速度上面,UFS 2.0会领先eMMC一大截,譬如UFS 2.0闪存读写速度
最高可达到1400MB/s,是eMMC 5.0的3倍。 三星/华为争首发!全新手机存储技术
UFS 2.1浮现. 三星在15年初最早在Galaxy S6上使用了UFS 2.0内存,目前,包括
高通骁龙821/820、三星Exynos 8890等旗舰芯片都已经支持UFS 2.0,UFS 2.0已经
逐步 …
2017年5月8日 … 三星原本把UFS 2.1闪存当作Galaxy S8的宣传重点之一,但他们在这款新旗舰当中
实际上是UFS 2.1和UFS 2.0混用的。但相比还使用了eMMC 5.1(速度比UFS慢得多)
的华为,三星的行为似乎没有那么恶劣。但不管怎么说,他们 … 除了处理器之外,
相机感光元件和其他高需求元件也是如此。 可话虽如此,当得知手机 …
2017年5月5日 … 儘管對於安卓手機來說,軟體層面的優化很重要,但是元件本身也體現著層級差異,
況且,若都能靠軟體彌合,那高端低端手機甚至說技術進步本身還有何意義? 回到
正題,剛剛上線的魯大師安卓v8.2.6新版加入了「快閃記憶體測試」項目,指標是寫入
速度,以下是官方樣機中心的數據。 … 可以看到,三星Galaxy S8由於 …
2014年11月13日 … 【手机中国新闻】据韩媒ETNews报道,三星消息人士透露,该公司正准备在新旗舰
Galaxy S6上使用下一代NAND Flash存储卡,这项存储技术可能会称为UFS 2.0。
UFS(通用闪存存储器)能达到SSD类似的转换速度,不过却像e.
2017年4月19日 … … 比UFS 2.0 快了大約50%。儘管三星在規格上沒有多提這件事,但如果很在意記憶
卡速度,可能還是選購S8+ 較佳。 最終iFixit 給了S8 / S8+ 4 分的維修分數。整體來說
儘管多數元件都很好替換拆卸,但由於曲面玻璃與電池太難拆下,iFixit 並不建議用戶
自行更換。 △(Source:iFixit). Samsung Galaxy S8+ Teardown …
2014年11月13日 … UFS(通用闪存存储器)能达到SSD类似的转换速度,不过却像eMMC存储芯片一样
生产便宜。事实上,该技术 … 该技术标准是在三星、诺基亚和Micron发起的电子元件
工业联合会(JEDEC)下建立的,这个组织于2007年建立。东芝和海 … 首批使用该
技术的产品很可能是明年年初将发布的Galaxy S6以及之后的Note 5。

木村